無掩模光刻機不需要使用傳統(tǒng)的物理掩膜版來轉(zhuǎn)移電路圖形，而是通過計算機控制的高精度光束直接在感光材料上進行掃描曝光，形成所需的微細圖形。目前在微電子制造、微納加工、MEMS、LED、生物芯片等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
▲ 納米壓電位移臺拼接技術(shù)
▲ 紅光引導曝光，所見即所得
▲ OPC修正算法優(yōu)化圖形質(zhì)量
▲ CCD相機逐場自動聚焦
▲ 灰度勻光技術(shù)
| 關(guān)鍵技術(shù)指標 | |
| 紫外光源中心波長 | 405nm |
| 勻光率 | 96% |
| 極限分辨率 | 0.5μm |
| 單寫場曝光面積 | 1.2x0.9 mm2(10x) 2.5x1.9 mm2(5x) |
| 刻寫速率 | 10 mm2/min (10x) 40 mm2/min (5x) |
| 配置 | 手動型號 | 標準型號 |
| 光源 | 405 LED | 405 LED或汞燈光源 |
| DMD芯片 | 6500 | 6500 |
| 微鏡尺寸 | 7.56μm | 7.56μm |
| 微鏡陣列 | 1920x1080 | 1920x1080 |
| 單寫場面積(10x) | 1.45x0.81mm | 1.45x0.81mm |
| 位移臺 | 手動位移臺 | 電動位移臺 |
| 離焦控制 | 手動聚焦 | 自動聚焦 |
| 大面積光刻 | 手動 | 自動拼接光刻 |
| 套刻 | 不支持 | 支持單場/多場套刻 |
| 灰度光刻 | 不支持 | 支持3D灰度光刻 |
熱門關(guān)注
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